檢索結果：共8筆資料 檢索策略： "doping".ekeyword (精準) and year="102"
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本文成功地藉由預先合成的晶種進行製備異質結構量子點。其反應機制利用 Ag2S 或是Cu2S 奈米晶體當作晶種，後續加入第二種金屬陽離子在晶種表面進行 沉積或離子交換反應，藉以合成出多種異質結構量子點…
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為探討熱處理及燒結過程對釤摻雜二氧化鈰奈米顆粒中的缺陷結構，包括分佈、種類、數量的影響，本實驗利用沉澱法製備摻雜不同Sm含量(0%, 11%, 15%, 20%)之二氧化鈰奈米顆粒，在不同氣氛下進行…
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Cu(In,Ga)Se2 (CIGSe) semiconductor compound showing record photovoltaic conversion efficiencies nea…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備III族氮化物薄膜，如GaN與InGaN等薄膜，濺鍍所需要的靶材則是將不同比例的金屬In、Ga與GaN陶瓷粉末混合後熱壓而成的陶金靶，靶材中的Ga含量需小於GaN…
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本研究利用常壓噴射束電漿(Atmospheric pressure plasma jet, APPJ)製備氧化釓掺雜氧化鈰（Gd2O3-doped CeO2, GDC）奈米顆粒，並以硝酸鈰與硝酸釓混…
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Niobium doped TiO2 as oxygen evolution reaction electrocatalyst support in alkaline media has been …
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本實驗成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Mg摻雜InGaN薄膜。並且也成功的將GaN薄膜與摻雜Mg的InGaN薄膜堆疊製作成二極體觀察其電特性。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD、霍爾…
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本研究探討氮摻雜還原石墨烯氧化物(N-doped rGO)在非對稱性的離子液體[EMI][TFSI]中的電容相關特性。我們採用Staudenmaier法將石墨烯氧化物剝離且還原，發現氮摻雜還原石墨烯…